霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)性能介紹

JH60永磁體霍爾效應(yīng)測(cè)試儀

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

霍爾效應(yīng)系統(tǒng)組成：本儀器系統(tǒng)由永磁體、高精度恒流源高精度電壓表、霍爾效應(yīng)樣品支架、標(biāo)準(zhǔn)樣品、高精度高斯計(jì)和系統(tǒng)軟件組成。為本儀器系統(tǒng)專門研制的 JH10 效應(yīng)儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測(cè)量復(fù)雜的切換繼電器——開(kāi)關(guān)組裝成一體，大大減化了實(shí)驗(yàn)的連線與操作。JH10 可單獨(dú)做恒流源、微伏表使用。用于測(cè)量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的，因此霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必備的工具。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果由軟件自動(dòng)計(jì)算得到，可同時(shí)得到體載流子濃度(Bulk Carrieroncentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(shù)(Hall Coefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)等。

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可測(cè)試材料:

半導(dǎo)體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等；

低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR 材料等；

高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等

霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)性能介紹

技術(shù)指標(biāo)：

* 磁 場(chǎng)：大于 5000 高斯（間距 18mm)

* 樣品電流：±50 納安~±50 毫安（*小可調(diào)節(jié)電流為 0.1nA）

* 測(cè)量電壓：0.1 微伏~30 伏

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* 提供各類測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)材料，各級(jí)別硅與砷化鎵（靈敏度與精度不同）

* *小分辨率： 1GS

* 磁場(chǎng)范圍： 0.5T

* 配合高斯計(jì)或數(shù)采板可計(jì)算機(jī)通訊

* I-V 曲線及 I-R 曲線測(cè)量等

* 電阻率范圍：10-⁷~10¹¹ Ohm*cm

* 電阻范圍：10 m Ohms~ 6MOhms

* 載流子濃度：10³~10²²cm-³

* 遷移率：0.1~10⁸ cm²/volt*sec

* 溫區(qū)：常溫

* 測(cè)試全自動(dòng)化，一鍵處理

* 專業(yè)的歐姆接觸組合套件

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JH60 測(cè)試時(shí)，只需要輸入三個(gè)關(guān)鍵參數(shù)即可進(jìn)行測(cè)量，磁場(chǎng)的轉(zhuǎn)換為手動(dòng)轉(zhuǎn)換，需要轉(zhuǎn)換磁場(chǎng)方向時(shí)程序會(huì)彈出信息框，根據(jù)測(cè)試程序的提示完成相應(yīng)的操作即可獲得樣品需要的參數(shù)。

測(cè)量時(shí)只需要設(shè)置好樣片通過(guò)的電流、樣片所在磁場(chǎng)環(huán)境的磁場(chǎng)大小、樣品厚度即可進(jìn)行測(cè)量，數(shù)據(jù)可以繪圖，可以導(dǎo)出至 EXCEL 中以便后期處理及使用。

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系統(tǒng)構(gòu)成

永磁體霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)由永磁體、高斯計(jì)、恒流源、計(jì)算機(jī)及軟件組成。其中，高

斯計(jì)測(cè)量永磁體磁場(chǎng)值；恒流源一方面給樣品提供電流，用于霍爾效應(yīng)測(cè)試，一方面可以測(cè)

量樣品電壓；被測(cè)樣品置于樣品板上，由固定針固定；計(jì)算機(jī)連接高斯計(jì)、恒流源，通過(guò)軟

件實(shí)現(xiàn)控制通過(guò)被測(cè)樣品的電流，并獲取測(cè)得的電壓值。